GaAs semiconductor passivated by (NH4)2Sx: analysis of different passivation methods using electrical characteristics and XPS measurements

• Autor(es): Mastelaro, Valmor Roberto
• Data: 2020
• Origem: Oasisbr
• Assunto(s): ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
• Tipo de Documento: Artigo científico
• Idioma: Inglês