Tecnologia MOS canal N com porta de SnO2

• Author(s): Braga, Edmundo da Silva, 1945-
• Date: 1983
• Persistent ID: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577275
• Origin: Oasisbr
• Subject(s): Transistores bipolares; Semicondutores; Microeletrônica
• Document Type: Master thesis
• Language: Portuguese

Description

Orientadora : Alaide Pellegrini Mammana

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas

Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital

Abstract: Not informed

Mestrado

Doutor em Engenharia Elétrica