Transientes ultra-rápidos de transporte em plasmas semicondutores submetidos a campos elétricos intensos

• Autor(es): Freire, Valder Nogueira
• Data: 1988
• Identificador Persistente: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577936
• Origem: Oasisbr
• Assunto(s): Transistores (Eletricidade); Semicondutores; Campos elétricos
• Tipo de Documento: Tese de doutoramento
• Idioma: Português

Descrição

Orientador: Roberto Luzzi

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: Utilizando uma Teoria Não-linear de Transporte obtido do operador estatístico de não-equilibrio de Zubarev, obtém-se as equações que governam a evolução do estado de não-equilibrio de semicondutores polares de gap direto altamente fotoexcitados submetidos a intensos campos elétricos contínuos. É demonstrada a possibilidade de existência de três diferentes tipos de comportamento dos transientes rápidos da mobilidade: (i) estrutura (i.e. existência de máximos e mínimos) sem overshoot em campos baixos, (ii) estrutura com overshoot em campos intermediários, (iii) evolução normal (nenhuma estrutura) em campos intensos. Um critério para existência destes transientes ultra-rápidos é deduzido e cálculos numéricos apropriados ao problema de transporte portadores no vale central do GaAs são efetuados, indicando condições para a sua confirmação experimental

Abstract: Using a Nonlinear Transport Theory derived from the nonequilibrium statistical operator in Zubarev's approach, the equations that govern the evolution of the nonequilibrium state of a highly photoexcited direct-gap polar semiconductor submitted to high electric DC fields is obtained. It is demonstrated the possibility of the existence of three differentiated types of behaviour of the ultrafast mobility transient: (i) structure (i.e. existence of maxima and minima) without overshoot at low fields, (ii) structure with overshoot at intermediate fields, (iii) normal evolution (no structure) at high fields. A criterion for the occurrence of this structured ultrafast mobility transient is established, and numerical calculations appropriated for carriers transport in the central valley of GaAs are performed, showing conditions for its realization

Doutorado

Física

Doutor em Ciências