Electronic circuits for wireless optical LANs - I

• Autor(es): Aguiar, Rui L. ; Tavares, António ; Cura, José Luis ; Vasconcelos, Eduardo de ; Alves, Luis Nero ; Valadas, Rui ; Santos, Dinis M.
• Data: 1999
• Origem: Electrónica e Telecomunicações
• Assunto(s): Wireless optical LANs; Electronic circuits
• Tipo de Documento: Artigo científico
• Idioma: Inglês

Descrição

This is the first of two papers discussing practical issues and results on the implementation of low-cost transceivers for several wireless optical LANs, covering most physical layer elements. Target optical LANs under consideration have bit-rates varying between 4Mbps and 25Mbps, and input photodiode capacitance may vary between 10pF and 50pF. PPM modulation, either in a 4-PPM or 16-PPM format, istypically used in the physical layer. Several differential front-end topologies are presented bothin discrete and integrated (CMOS) implementations, targeting different LANs. Strategies for bandwidth improvement, interference reduction and dynamic range improvement have been used in some of these topologies. These strategies lead to a switched-gain transceiver with a transimpedance gain*bandwidth of 25THzΩ , achieved witha 10pF capacitance photodiode.

Este é o primeiro de dois artigos que discutem a implementação de emissores/receptores para redes locais não cabladas utilizando a tecnologia de infravermelhos, de baixo custo. O trabalho aqui apresentado cobre maioritariamente os elementos da camada física. As redes locais não cabladas consideradas têm taxas de transmissão entre 4Mbps e 25Mbps, e a capacidade do fotodíodo receptor entre 10pF e 50pF. Os tipos de modulação considerados são tipicamente 4-PPM ou 16-PPM.Neste artigo são apresentadas diferentes topologias de front-end, quer em implementações discretas, quer em integradas (CMOS), tendo como objectivo diferentes redes alvo. Estratégias para melhoramento de largura de banda, redução de interferência, e melhoramento de gama dinâmica foram usadas em algumas destas topologias. Estas estratégias conduziram a um receptor de ganhos comutados com produto ganho*largura de banda de 25THzΩ, conseguidos com 10pF de capacidade do fotodíodo.