Author(s): Costa, I. ; Gaspar, G. ; Vilhena, D. ; Pera, D. ; Cardoso, J. ; Lobato, K. ; Silva, J.A. ; Serra, J.M.
Date: 2020
Persistent ID: http://hdl.handle.net/10400.9/3383
Origin: Repositório do LNEG
Subject(s): Solar energy; Solar cells; Silicon solar cells; Selective solar absorber
RESUMO: Podemos identificar 5 linhas de acção na tecnología de células solares baseadas em silício cristalino: (1) Migração da célula de Al BSF para células com tecnologia p-type PERC/n-type PERT, (2) células com contactos traseiros (IBC), (3) células com heterojunções (HET), (4) introdução de contactos passivantes e (5) novas células tandem baseadas em perovskites ou materiais III-V. A arquitectura da célula solar proposta no projecto SELCON segue a linha 4 acima apontada, e demonstrou já eficiências também acima de 25%, introduzindo os contactos selectivos mas mantendo uma arquitectura semelhante à que existe na indústria, com contactos opostos e sem padrões de texturização. A estrutura proposta incorpora junções selectivas (CSJs) que permitem ultrapassar a maior limitação das células actuais – as perdas por recombinação – extraindo eficientemente as cargas geradas na célula solar. Neste trabalho foi estudada a melhor alternativa de passivação usando camadas de SiO2/TiO2 tendo-se observado que a oxidação térmica a 900 ºC tem passivação inferior ao óxido térmico a 775ºC.
