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Propriedades ópticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gás bi-d...

Bernussi, Ayrton Andre

Orientador: Paulo Motisuke; Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin; Resumo: Este trabalho apresenta um estudo detalhado, por fotorefletância, de camadas de GaAs com dopagem planar de silício. As amostras foram crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular com diferentes concentrações de Si e diferentes espessuras da camada de topo. As estruturas observad...

Date: 1990   |   Origin: Oasisbr
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Espalhamento Raman de moléculas de Cl2, Br2 e I2 adsorvidas em grafite pirolíti...

Bernussi, Ayrton Andre

Orientador: Gilberto de Matos Gualberto; Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin; Resumo: Não informado; Abstract: Not informed.; Mestrado; Física; Mestre em Física

Date: 1984   |   Origin: Oasisbr
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