Detalhes do Documento

Tecnologia MOS canal N com porta de SnO2

Autor(es): Braga, Edmundo da Silva, 1945-

Data: 1983

Identificador Persistente: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1577275

Origem: Oasisbr

Assunto(s): Transistores bipolares; Semicondutores; Microeletrônica; Transistores bipolares; Transistores bipolares; Semicondutores; Semicondutores; Microeletrônica; Microeletrônica


Descrição

Orientadora : Alaide Pellegrini Mammana

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas

Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital

Abstract: Not informed

Mestrado

Doutor em Engenharia Elétrica

Tipo de Documento Dissertação de mestrado
Idioma Português
facebook logo  linkedin logo  twitter logo 
mendeley logo

Documentos Relacionados