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Orientador: Rogério Cézar de Cerqueira Leite

Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin

Resumo: No presente trabalho apresentamos pela primeira vez a observção de espalhamento Raman por polaritons do ramo superior em um semi condutor. A redução significante no ângulo sólido de coleção e o fator preponderante na permissão desta observação. Nestas condições experimentais medimos a largura de linha intrinseca e a intensidade de espalhamento Raman do polariton do modo El ( TO ) em ZnO, às temperaturas ambiente e do nitrogênio líquido, com as linhas 5145 Å e 4880 Å do laser de argônio. O comportamento da intensidade como função da frequência está de acordo com as previsões das teorias existentes. As medidas de largura de linha, extendidas a regiões nunca observadas anteriormente, mostram uma extraordinária anomalia à frequências mais baixas, indicando uma notável redução no tempo de vida nas proximidades de 180 cm-l. Isto é responsável pela emissão de fonons acústicos de grandes comprimentos de onda

Abstract: The first observation of Raman scattering from the upper branch polariton in a semiconductor is reported. The significant reduction in the collection solid angle is the main cause that allows for this observation. In this experimental conditions we have measured the intrinsic linewidth and the Raman scattering intensities of the lower branch E1( TO ) polariton mode in ZnO, at room and liquid nitrogen temperatures, with 5145 Å and 4880 Å argon laser lines. Intensity as a function of frequency shows a behaviour predicted by current theories. Measurements of linewidth extend to polariton frequencies never attained beforet showing a remarkable anomaly at lower frequencies indicating a striking lifetime reduction near 180 cm-1. This is accountable by emission of large wavevector acoustic phonons

Doutorado

Física

Doutor em Ciências