Author(s): Sampaio, Antonio Jose da Costa
Date: 1977
Persistent ID: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1578675
Origin: Oasisbr
Subject(s): Espalhamento (Física); Espectroscopia Raman; Física nuclear; Espalhamento (Física); Espalhamento (Física); Espectroscopia Raman; Espectroscopia Raman; Física nuclear; Física nuclear
Orientador: Roberto Luzzi
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin
Resumo: Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de ciclotron ( wc ) é aproximadamente igual a frequência da radiação incidente ( wl ) e daquela espalhada ( ws ). Para isso desenvolvemos um tratamento teórico onde, através de um. formalismo de matriz S e técnicas de propagadores no espaço dos momentos determinamos a Intensidade Integrada de espalhamento e a vida média dos estados eletrônicos. Completamos o trabalho com uma aplicação ao caso Específico do InSb onde discutimos uma série de pontos interessantes. Não são incluídos efeitos de temperatura
Abstract: Not informed
Mestrado
Física
Mestre em Física
