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Orientador : Mauricio Prates de Campos Filho

Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas

Resumo: Este trabalho apresenta a pesquisa realizada durante 1977 a 1979, do processo de deposição de Silício policristalino a partir de Triclorosilano e Hidrogênio. Este processo se constitui numa das etapas fundamentais da moderna tecnologia de produção do Silício com pureza de grau eletrônico. A análise experimental do processo envolveu o projeto e construção dos equipamentos para permitir a deposição de Si e simultaneamente investigar a influência de diversos parâmetros, como a temperatura e composição dos gases sobre o processo de deposição. Pode-se salientar os seguintes componentes do sistema experimental utilizado...Observação: O resumo, na integra, podera ser visualizado no texto completo da tese digital

Abstract: The present report covers work carried out from 1977 to 1979 on the deposition of policrystalline Silicon by reduction of Trichlorosilane (SiHC13). This process represents one of the fundamentals steps in modern Silicon technology towards producing electronic grade, i.e. high purity Silicon. Experimental equipment was designed and constructed to deposit Si from SiHCl3 and simultaneously to analyse the influence upon deposition of such parameters as temperature and gas composition. Among the components of the equipment one can distinguish between ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations

Mestrado

Mestre em Engenharia Mecânica