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A INFLUÊNCIA DO TELÚRIO NAS PROPRIEDADES ELÉTRICAS E ÓPTICAS DOS COMPOSTOS SEMICONDUTORES Ga1-xInxSb CRESCIDOS PELO MÉTODO BRIDGMAN VERTICAL

Author(s): Cândida Klein ; Berenice Anina Dedavid

Date: 2022

Persistent ID: https://hdl.handle.net/10923/22267

Origin: Oasisbr

Subject(s): microanálise por EDS; segregation; Bridgman method; III ? V semiconductor; FTIR; microanálise por EDS; microanálise por EDS; segregation; segregation; Bridgman method; Bridgman method; III ? V semiconductor; III ? V semiconductor; FTIR; FTIR


Description

Submitted by Biblioteca Suporte PUCRS (biblioteca.suporte@pucrs.br) on 2022-06-15T15:05:49Z No. of bitstreams: 1 A_INFLUNCIA_DO_TELRIO_NAS_PROPRIEDADES_ELTRICAS_E_PTICAS_DOS_COMPOSTOS_SEMICONDUTORES_Ga1xInxSb_CRESCIDOS_PELO.PDF: 442509 bytes, checksum: f72f64e6bc840cdc8469e806a12ff1b6 (MD5)

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Document Type Other
Language Portuguese
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