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A INFLUÊNCIA DO TELÚRIO NO COMPORTAMENTO SEGREGACIONAL DO ÍNDIO EM COMPOSTOS SEMICONDUTORES Ga1-xInxSb CRESCIDOS

Autor(es): Cândida Klein ; Gabriel Bodini Viegas de Oliveira ; Berenice Anina Dedavid ; Nestor Heck

Data: 2022

Identificador Persistente: https://hdl.handle.net/10923/22271

Origem: Oasisbr

Assunto(s): Crescimento de Cristais; Segregação; semicondutores III-V; dopantes; Crescimento de Cristais; Crescimento de Cristais; Segregação; Segregação; semicondutores III-V; semicondutores III-V; dopantes; dopantes


Descrição

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Tipo de Documento Outro
Idioma Português
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