Autor(es):
Leandro Malard Moreira
Data: 2019
Identificador Persistente: http://hdl.handle.net/1843/IACO-6W9PQ4
Origem: Oasisbr
Assunto(s): Semicondutora; Física; Acoplamentos Fótons Biéxcitons; Bipolaritons; Microcavidade semicondutora; Arseneto de gálio; Física; Semicondutora; Semicondutora; Física; Física; Acoplamentos Fótons Biéxcitons; Acoplamentos Fótons Biéxcitons; Bipolaritons; Bipolaritons; Microcavidade semicondutora; Microcavidade semicondutora; Arseneto de gálio; Arseneto de gálio; Física; Física
Descrição
Nesta dissertação estudamos a emissão de bipolaritons em uma micricavidade semicondutora. Bipolaritons são formados pelo acoplamento forte entre fótons e biexcitons presentes no poço quântico de GaAs dentro da microcavidade. Através de medidas de fotoluminescência, foi possível mostrar que a emissão de bipolaritons acontece quando dessintonizamos a cavidade com relação a energia do éxciton. Pequenas larguras de linhas foram medidas, da ordem de 150 ?eV e alta intensidade de emissão. Através de medidas mudando-se a polarização do laser de bombeio, pudemos verificar as regras de seleção para ciração de biexcitons em poços quânticos.
