Detalhes do Documento

Um modelo compacto do transistor MOS para simulação de circuitos /

Autor(es): Gouveia Filho, Oscar da Costa

Data: 2012

Origem: Oasisbr

Assunto(s): Teses; Transistores de efeito de campo de semicondutores de oxido metalico; Teses; Circuitos eletronicos; Simulação por computador; Teses; Teses; Transistores de efeito de campo de semicondutores de oxido metalico; Transistores de efeito de campo de semicondutores de oxido metalico; Teses; Teses; Circuitos eletronicos; Circuitos eletronicos; Simulação por computador; Simulação por computador


Descrição

Tese (Doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico.

Tipo de Documento Tese de doutoramento
Idioma Português
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