A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond

• Autor(es): Assali, L. V. C.
• Data: 2017
• Origem: Oasisbr
• Assunto(s): SEMICONDUTORES
• Tipo de Documento: Relatório
• Idioma: Inglês