Autor(es): Teixeira, J.T. ; Lopes, T.S. ; Oliveira, K. ; Curado, M.A. ; Cunha, J.M.V. ; Ribeiro, R.M. ; Oliveira, A.J.N. ; Barbosa, J.R.S. ; Violas, A. ; Rocha, C. ; Donzel-Gargand, O. ; Vinhais, C. ; Gaspar, J. ; Fernandes, P.A. ; Salomé, P.M.P.
Data: 2020
Identificador Persistente: http://hdl.handle.net/10400.9/3371
Origem: Repositório do LNEG
Assunto(s): Solar energy; Solar cells; Photovoltaic systems; Nanoparticles
RESUMO: O grupo de Nanofabrication for Optoelectronic Applications -NOA- inserido no International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL) tem focado grande parte da sua investigação e operações no desenvolvimento de substratos de alta performance, baseados em diferentes esquemas de manipulação da luz para aplicação em células solares de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Estes substratos baseiam-se na inserção de uma camada dielétrica de passivação entre o contacto posterior (Mo) e a camada de CIGS. Esta abordagem permite mitigar defeitos ativos na interface posterior, bem como a absorção ótica parasítica no Mo. Neste manuscrito compara-se o desempenho de duas células solares de CIGS ultrafino: uma célula solar com arquitetura convencional e uma segunda célula solar com um substrato contendo uma camada passivadora de 18 nm de SiOx, com um esquema de contactos por nano-pontos. Todos os valores das figuras de mérito da célula solar são melhorados quando é adicionado o substrato de alta performance à arquitetura da célula solar de CIGS ultrafino.
