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Conversor Boost totalmente integrado em Tecnologia CMOS de 130nm
| Resumo: | Este trabalho propõe um conversor Boost totalmente integrado num processo CMOS de 130nm, apenas alimentado por uma OPV. O sistema inclui um conversor Boost a funcionar em modo lacunar (MCD), comutado a 1,2GHz, com recurso a um oscilador LC de par cruzado. O circuito é usado para aumentar a tensão de saída de uma OPV (na ordem das centenas de mV) para uma tensão padronizada de 1.2V. A proposta mostra que o objetivo é cumprido com uma implementação em Silício inferior a 0,34 (µm)2, o que torna este sistema numa solução comparável ao estado-da-arte, com vantagens significativas em termos de miniaturização |
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| Autores principais: | Moreira,Sérgio Martins Maciel |
| Outros Autores: | Santos,Pedro Mendonça dos; Borges,Maria Beatriz Vieira |
| Assunto: | conversor Boost |
| Ano: | 2021 |
| País: | Portugal |
| Tipo de documento: | texto |
| Tipo de acesso: | acesso aberto |
| Instituição associada: | Academia Militar |
| Idioma: | português |
| Origem: | Academia Militar |
| Resumo: | Este trabalho propõe um conversor Boost totalmente integrado num processo CMOS de 130nm, apenas alimentado por uma OPV. O sistema inclui um conversor Boost a funcionar em modo lacunar (MCD), comutado a 1,2GHz, com recurso a um oscilador LC de par cruzado. O circuito é usado para aumentar a tensão de saída de uma OPV (na ordem das centenas de mV) para uma tensão padronizada de 1.2V. A proposta mostra que o objetivo é cumprido com uma implementação em Silício inferior a 0,34 (µm)2, o que torna este sistema numa solução comparável ao estado-da-arte, com vantagens significativas em termos de miniaturização |
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