Publicação
Sistema WDM de 4 canais
| Resumo: | O presente relatório apresenta uma análise optoeletrónica de uma heteroestrutura semicondutora empilhada de fotodíodos PIN, baseada numa liga de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H – Hydrogenated Amorphous Silicon) e silício de carbeto amorfo hidrogenado (a-SiC:H –Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide), cujos fotodíodos foram otimizados para deteção de sinais óticos no domínio do visível. O objetivo desta tese é analisar as capacidades da heteroestrutura nas redes WDM (Wavelength Division Multiplexing), para transmissão de sinais óticos a curta distância, com fibra óticas de plástico (POF – Plastic Optical Fiber) como meio de transmissão. O trabalho desenvolvido surge na sequência de trabalhos anteriormente desenvolvidos, onde foi realizada uma caracterização optoelectrónica da estrutura semicondutora sob diferentes condições de iluminação, variando o comprimento de onda e a radiação de fundo. A transmissão é feita através de quatro dispositivos LED (Light Emitting Diode) com as cores: violeta (400nm), azul (470nm), verde (525nm) e vermelho (626nm). É utilizada radiação de fundo frontal e posterior, de cor violeta, já que testes recentes concluíram ser a que mais beneficia a eficiência na deteção dos sinais. A caracterização optoeletrónica da estrutura semicondutora demonstra a influência da radiação de fundo de cor violeta nos canais de transmissão. A análise aos canais individuais verifica, além da influência da radiação de fundo, os níveis de potência ótica de cada canal. Para cada canal é calculado o ganho ótico obtido através da radiação de fundo pelo lado posterior e frontal. Pelos resultados obtidos é possível verificar que a radiação de fundo pelo lado frontal amplifica a fotocorrente dos canais vermelho e verde e atenua os restantes. Por sua vez, a radiação de fundo pelo lado posterior amplifica os canais violeta e azul e atenua os restantes. No complemento da análise individual é realizada uma análise WDM na qual é possível combinar os canais dois a dois, três a três e na presença de todos os canais. As medidas são realizadas sobre a presença e ausência da radiação de fundo de cor violeta para as quatro sequências binárias distintas e com diferentes níveis de modulação. A influência da radiação defundo pelo lado posterior e frontal e o ganho produzido através dos mesmos, permite descodificar as combinações binárias dos sinais transmitidos. |
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| Autores principais: | Sousa, Fábio André Rosário |
| Assunto: | Optoeletrónica Multiplexação por divisão de comprimento de onda (WDM) Dispositivos semicondutores Fibra ótica de plástico (POF) Multiplexagem/desmultiplexagem ótica Optoelectronics Wavelength division multiplexing (WDM) Semiconductor devices Plastic optical fiber (POF) Optical multiplexing/demultiplexing |
| Ano: | 2014 |
| País: | Portugal |
| Tipo de documento: | dissertação de mestrado |
| Tipo de acesso: | acesso aberto |
| Instituição associada: | Instituto Politécnico de Lisboa |
| Idioma: | português |
| Origem: | Repositório Científico do Instituto Politécnico de Lisboa |
| Resumo: | O presente relatório apresenta uma análise optoeletrónica de uma heteroestrutura semicondutora empilhada de fotodíodos PIN, baseada numa liga de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H – Hydrogenated Amorphous Silicon) e silício de carbeto amorfo hidrogenado (a-SiC:H –Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide), cujos fotodíodos foram otimizados para deteção de sinais óticos no domínio do visível. O objetivo desta tese é analisar as capacidades da heteroestrutura nas redes WDM (Wavelength Division Multiplexing), para transmissão de sinais óticos a curta distância, com fibra óticas de plástico (POF – Plastic Optical Fiber) como meio de transmissão. O trabalho desenvolvido surge na sequência de trabalhos anteriormente desenvolvidos, onde foi realizada uma caracterização optoelectrónica da estrutura semicondutora sob diferentes condições de iluminação, variando o comprimento de onda e a radiação de fundo. A transmissão é feita através de quatro dispositivos LED (Light Emitting Diode) com as cores: violeta (400nm), azul (470nm), verde (525nm) e vermelho (626nm). É utilizada radiação de fundo frontal e posterior, de cor violeta, já que testes recentes concluíram ser a que mais beneficia a eficiência na deteção dos sinais. A caracterização optoeletrónica da estrutura semicondutora demonstra a influência da radiação de fundo de cor violeta nos canais de transmissão. A análise aos canais individuais verifica, além da influência da radiação de fundo, os níveis de potência ótica de cada canal. Para cada canal é calculado o ganho ótico obtido através da radiação de fundo pelo lado posterior e frontal. Pelos resultados obtidos é possível verificar que a radiação de fundo pelo lado frontal amplifica a fotocorrente dos canais vermelho e verde e atenua os restantes. Por sua vez, a radiação de fundo pelo lado posterior amplifica os canais violeta e azul e atenua os restantes. No complemento da análise individual é realizada uma análise WDM na qual é possível combinar os canais dois a dois, três a três e na presença de todos os canais. As medidas são realizadas sobre a presença e ausência da radiação de fundo de cor violeta para as quatro sequências binárias distintas e com diferentes níveis de modulação. A influência da radiação defundo pelo lado posterior e frontal e o ganho produzido através dos mesmos, permite descodificar as combinações binárias dos sinais transmitidos. |
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